北方华创宣布3D DRAM刻蚀取得重大突破：没有EUV也能造先进存储
格隆汇9月6日｜中国半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3DDRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3DDRAM自主量产。3DDRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段。其核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度。在西方对华EUV光刻机出口管制持续...
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